干擾進入設(shè)備的途徑不外乎是電磁耦合、電容耦合和直接進入等三條不同的途徑。
當(dāng)一根導(dǎo)線通過一個磁場，或一個磁場在靠近一根導(dǎo)線時都會有電磁耦合，在導(dǎo)線上感生出一個電動勢，這就是變壓器效應(yīng)。因此當(dāng)一個外磁場在靠近計算機時，就可能在計算機中引入噪聲干擾。
電容耦合是產(chǎn)生噪聲干擾的另一個原因。當(dāng)兩個物體相互靠近時，在兩個物體之間存在的容抗就可以形成一條導(dǎo)電的通路，從而影響到兩者固有的導(dǎo)電情況。如果兩者之間的電壓差達到相當(dāng)高的程度，而且距離又很近時，甚至有可能在兩個物體之間產(chǎn)生放電，形成電壓的瞬變。
噪聲干擾直接進入用電設(shè)備，則是一種最常見的干擾進入方式，無需做更多說明，無論是哪種方式進入設(shè)備的干擾，只要它進入了系統(tǒng)，接下去便能肆意的在系統(tǒng)里傳播開來。
噪聲干擾對設(shè)備可能造成的第一個影響是設(shè)備的工作狀態(tài)出錯，你有可能為此此而付出高昂的代價。例如數(shù)控加工機床在噪聲干擾的作用下，可能在一個錯誤的位置上鉆了一個錯誤的孔，結(jié)果使一個價值幾萬元的工件因此而報廢。
噪聲干擾可能造成的第二直接影響是引起設(shè)備的硬件損壞。例如在一臺開關(guān)電源中，瞬間發(fā)生的雷擊干擾就有可能使整流二極管擊壞。即使僥幸通過整流部分，由于普通的電解電容對于高頻干擾的平滑作用很差，使他有可能繼續(xù)入侵低壓部分，最后進入設(shè)備的控制部分，余下的后果將是不言而喻了。
泰思特
高頻噪聲模擬器模擬開斷電感性負載時產(chǎn)生的陡峭脈沖干擾，用于評定電子設(shè)備抵抗暫態(tài)傳導(dǎo)干擾的性能，并可定性地對電子設(shè)備系統(tǒng)內(nèi)部的抗干擾性能、局部環(huán)節(jié)的抗輻射性能以及系統(tǒng)的接地性能進行測試，是各種干擾模擬器中應(yīng)用最廣、實用性最強的儀器之一。
